AT89C52的程序存储器阵列是采用字节写入方式编程的，每次写入一个字节，要对整个芯片内的PEROM程序存储器写入一个非空字节，必须使用片擦除的方式将整个存储器的内容清除。

一、编程方法

编程前，须按表9和图11所示设置好地址、数据及控制信号，AT89C52编程方法如下：

1、在地址线上加上要编程单元的地址信号。

2、在数据线上加上要写入的数据字节。

3、激活相应的控制信号。

4、在高电什编程方式时，将EA/Vpp端加上十12V编程电压。

5、每对FLASH存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，加上一个ALE/PROG编程脉冲。每个字竹写入周期是自身定时的，通常约为1.5ms。重复1-5步骤。改变编程单元的地址和写入的数据，直到全部文件编程结束。

二、数据查询

AT89C52单片机用DatoPalling表示一个写周期结束为特征，在一个写周期中，如需读取最后写入的一个字节，则读出的数据的最高位(P0。7)是原来写入字书最高位的反码。写周期完成后，所输出的数据是有效的数据，即可进入下一个字节的写周期。写周期开始后，DataPallmg可能随时有效。

Ready/Busy：字节编程的进度可通过“RDY/BsY输出信号监测，编程期间，ALE变为高电平“H”后，P3.4(RDY/BSY)端电平被拉低。表示正在编程状态吸忙状态)。编程完成后，P3.4变为高电平表示准备就绪状态。

1、程序校脸：如果加密位LB1、LB2没有进行编程，则代码数据可通过地址和数据线读回原编写的数据，采用如图12的电路。加密位不可直接校验，加密位的校验可通过对存储器的校验和写入状态来验证。

2、芯片擦除：利用控制信号的正确组合(表6)并保持ALE/PROG引脚10ms的低电平脉冲宽度即可将PEROM阵列(4k字节)和三个加密位整片擦除，代码阵列在片擦除操作中将任何非空单元写入“1”，这步骤需再编程之前进行。

3、读片内签名字节：AT89C52单片机内有3个签名字节，地址为030H、03lH和032H。用于声明该器件的厂商、型号和编程电帐。读AT89C52签名字节需将P3.6和P3.7置逻辑低电平，读签名字竹的过程和单元030H、031H及032H的正常校验相仿，只返回值意义如下：